国家/地区 中国（246） 美国（171） 韩国（96） 世界知识产权组织（65） 日本（60） 欧洲专利局（EPO）（34） 台湾（24） 印度（10） 俄罗斯（4） 英国（3） 新加坡（3） 德国（2） 法国（2）
IPC部 H（452） C（121） B（85）
G（41） F（6） A（2）
D（2）
IPC大类 H01（452） C01（79） B82（58）
C23（24） G01（20） B32（17）
C09（17） C08（16） H05（16）
B05（9） C30（9） C25（7）
G02（6） G03（6） G06（6）
IPC小类 H01L（452）
IPC H01L029/16（85） H01L021/02（67） H01L031/18（61）
C01B031/04（55） H01L031/0224（45） H01L029/06（40）
H01L029/786（40） H01L029/66（39） H01L029/78（38）
B82Y040/00（36） H01L021/336（34） C01B031/02（31）
B82Y030/00（30） H01L021/28（27） H01L051/00（26）
发明人 LI X（17） LIU J（13） LI J（12）
LIN S（12） LEE J（11） LIU X（11）
WANG P（11） WANG X（11） WEI X（11）
XU Z（11） ZHANG C（11） CHEN H（10）
SAKAI T（10） WANG H（10） WEI Z（10）
公开年 2015（452）
申请年 2014（199）  2015（188）  2013（59）  2012（3）  2011（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（24） INT BUSINESS.（17） TOSHIBA KK（14） UNIV ZHEJIAN.（14）
BOE TECHNOLO.（12） CHENGDU GELA.（10） INST MICROEL.（8） NAT CENT NAN.（8）
FUJITSU LTD（7） UNIV XIAN JI.（7） CHINESE ACAD.（6） SHANGHAI INS.（6）
UNIV KYUNGHE.（6） UNIV SUNGKYU.（6） ELECTRONICS .（5） GLOBALFOUNDR.（5）
GUANGDONG AI.（5） KOREA ADVANC.（5） LEE Y T（5） UNIV SHANGHA.（5）

Composite used as electrochemically active material for forming electrode of lithium battery, field-emission device, biosensor, semiconductor device and thermoelectric device, comprises silicon dioxide in graphene matrix.

SON I, PARK J, CHANG J, KU J, LI X, CHOI J, SON I H, PARK J H, CHANG J J, KU J H, LI X S, CHOI J M

Multilayer structure of capacitor, has first and third layers each form one of two dee-trodes and comprise pyrolysed carbon nanomembranes or layers of graphene, and second layer is dielectric comprising car-bon nanomembranes.

BEYER A, GOLZHAUSER A, PENNER P, ZHANG X, GOELZHAEUSER A

Preparation of solar energy panel, involves providing graphene coating on solar energy panel surface layer, by using coating liquid prepared by dispersing graphene oxide in solvent.

BAI Y, GAO W, SHA X, SHA Y

Photoelectric detector preparing method involves forming graphene layer, and obtaining structural surface, and contacting graphene layer and thin film semiconductor layer with each other to form hetero-junction portion.

CAO D, CHENG X, ZHANG D, WANG Q, WANG Z, ZHENG L, YU Y, CHEN L

FET apparatus, has channel made of three-dimensional graphene foam, and graphene-based transistor formed on substrate, where variation in property of graphene-based transistor forms basis for measurement by sensor e.g. biological sensor.

KABIRI AMERI ABOOTORABI S, SINGH P K, SONKUSALE S, KABIRI A A S

Processing of to-be-processed material for electronic device, involves forming resist mask on graphene film of to-be-processed material and remove resist residue on graphene film by exposing to-be-processed material to oxygen radicals.

KAGAYA MUNEHITO, KAGAYA M

Graphene-based chemical sensing device for use as chemical sensing FET in gas sensing system for mass detection and biological sensing applications, has electrical measurement system for measuring electrical properties of grain boundary.

KUMAR B, SALEHI A, YASAEI P

Organic solar energy battery device, has electrode formed with foamy thin film, where donor material of photoactive layer is enriched at side of transport layer, and heterojunction structure formed by graphene and donor material.

LI H, XIA S, XIE F

Semiconductor device e.g. power device, has semiconductor layers comprising diamond, electrode and intermediate layer comprising specific carbide, graphite, graphene and/or amorphous carbon.

SUZUKI M, SAKAI T

Formation method for graphene-based surface plasmon resonance sensor (SPR) involves patterning graphene into predetermined number of evenly spaced graphene strips.

AVOURIS P, FARMER D B, LI Y, YAN H